台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體（簡稱格棋）宣布，榮獲第23屆「金峰獎—大型企業組」十大傑出企業肯定，創辦人暨董事長張忠傑同時榮膺「十大傑出創業楷模」，展現企業與領導人兼具卓越技術實力與創業精神的高度肯定。此次雙料獲獎，彰顯格棋在SiC長晶技術領域的創新突破與卓越營運成果，亦凸顯其致力推動綠色科技與永續發展的企業承諾。

董事長張忠傑表示：「格棋專注SiC長晶技術研發近十年，這項榮譽是團隊長期投入的共同成果，未來我們將持續強化技術實力，結合綠色永續理念，拓展國際市場，朝全球頂尖企業目標穩步邁進。」

格棋持續深耕晶體生長與晶圓製造領域，憑藉卓越的研發實力與技術創新，產品廣泛應用於電動車、AI伺服器、儲能系統等，成為推動次世代能源轉型的重要推手。因應全球對先進功率元件日益攀升的需求，格棋積極部署8吋SiC晶圓產能，預計2025年底，8吋SiC長晶爐將擴增至百台規模，將進軍日本、歐洲與北美市場，強化全球戰略布局。

格棋開發的四大技術優勢涵蓋：原材料物性控管、穩定的籽晶沾黏技術、先進熱場參數控制，及高穩定性的模組設計與組裝。完整技術鏈可有效降低晶體缺陷率，提升晶圓效率、穩定性與使用壽命，奠定格棋於高效能SiC材料領域的領先地位。此外，格棋亦導入「虛擬IDM」營運模式，串聯從原料、加工、磊晶、設計到元件製造的上下游資源，提供一站式整合解決方案，為客戶打造更具效率與彈性的服務體驗。

格棋亦積極投入社會責任實踐，透過推動技術交流、培育專業人才，促進台灣在高效能源應用與綠色科技領域的整體發展。未來，將持續以技術創新為核心，拓展國際市場版圖，以成為全球化合物半導體產業的指標性企業。（劉靜君）

洽詢股務，認購價為60元。


https://serv.gcis.nat.gov.tw/pap/detail/202504000105/00

公告內容：
格棋化合物半導體股份有限公司增資發行新股公告
主旨：公告本公司114年現金增資發行新股有關事項
依據：本公司114年4月1日董事會決議，及公司法相關規定。
公告事項：
一、 公司名稱：格棋化合物半導體股份有限公司
二、 所營事業：
CC01080 電子零組件製造業
C801010 基本化學工業
C801030 精密化學材料製造業
C801990 其他化學材料製造業
CE01030 光學儀器製造業
F119010 電子材料批發業
F219010 電子材料零售業
F401010 國際貿易業
I501010 產品設計業
ZZ99999 除許可業務外，得經營法令非禁止或限制之業務
三、 本公司所在地：桃園市中壢區西園路99之9號。
四、 董事、監察人之人數及任期：董事五人、監察人二人，任期均為三年，連選得連任。
五、 訂立章程年月日：本公司章程訂立於中華民國一一一年六月二日。最近一次修訂日期為民國一一三年六月二十八日。
六、 原定股份總額及每股金額：原定股份總額為150,000,000股，每股面額新臺幣一○元，已發行股份總額70,000,000股，每股面額新臺幣一○元，實收資本額新臺幣700,000,000元。
七、 本次增資發行新股總額、每股金額及發行條件：
1. 現金增資發行新股20,000,000股，每股發行價格為新臺幣10元。
2. 本次現金增資發行新股除依公司法第二六七條規定提撥十％計2,000,000股，由本公司員工認購外，其餘九十％計18,000,000股，由原股東按認股基準日股東名簿所載持股比例認購之(即每仟股認購257.142857股)，認購不足一股之畸零股或認購股數不足部份，擬授權董事長洽特定人按發行價格認購。
3. 本次發行新股之權利義務與原發行股份相同。
八、 增資計畫用途：增加營運資金。
九、 代收股款銀行：陽信商業銀行林森分行暨全省各分行。
十、 股款繳納日期：一一四年四月十七日起至一一四年四月三十日。
十一、 增資後股份總額及每股金額：增資後發行股數為90,000,000股，每股面額新臺幣一○元，實收資本額為新臺幣900,000,000元。
十二、 發行新股決議之議事錄：詳見本公司一一四年四月一日董事會議事錄。
茲訂於114年4月14日為增資認股基準日，依公司法第165條規定自114年4月10日起至114年4月14日止停止股票過戶登記，凡持有本公司股票而尚未辦理過戶手續者，請於114年4月9日下午5時前駕臨或郵寄（以郵戳日期為憑）本公司股務代理機構中國信託商業銀行代理部（地址：台北市重慶南路一段83號5樓，電話：02-66365566）辦理過戶。
特此公告。

專業碳化矽（SiC）長晶技術廠商格棋化合物半導體，以「低缺陷密度8吋碳化矽晶圓技術」榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎肯定，該項技術不僅能提高能源效率與減少碳排放，更能促進綠色技術的普及，對推動地球永續有積極助益。

格棋副總賴柏帆表示，核心團隊投入高品質碳化矽長晶技術研發將近10年，此次獲獎是對格棋在創新技術和卓越品質方面的高度肯定，證明致力推動綠色科技和永續發展正走在對的道路上。

格棋致力於晶體生長和晶圓的技術開發和製造，以嚴格的原材料物性控管，降低材料雜質並穩定長晶過程；精確的籽晶沾黏技術，控制籽晶的定位，促進晶體均勻生長；先進的熱場參數控制技術，防止晶體熱裂和結晶缺陷的產生；精密的模組設計與組裝，避免晶體污染和模組變形。憑藉4項核心技術優勢，格棋有效降低晶體的線缺陷、面缺陷及體缺陷，提升功率元件的效率、可靠性、穩定性及使用壽命。

為滿足市場多元需求，格棋提供彈性化的產品組合，包括碳化矽晶體（SiC Ingot）、碳化矽晶圓（SiC Wafer）、碳化矽籽晶（SiC Seed）和碳化矽磊晶晶圓（SiC EPI Wafer），並透過虛擬IDM模式，整合上下游價值鏈，依照客戶屬性，整合包含加工、磊晶、設計、製造、元件等廠商，簡化服務窗口與供應鏈服務客戶。