繼化合物半導體廠漢磊（3707）與大股東世界先進攜手建置8吋碳化矽（SiC）晶圓製造，該領域又有新兵加入，格棋化合物半導體昨（2）日宣布，將於第4季登錄興櫃。

董事長張忠傑表示，看好全球高效能源、電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速增長，第三類半導體材料中的碳化矽仍為關鍵核心。全球碳化矽龍頭Wolfspeed日前宣布重整，台積電也退出氮化鎵（GaN）代工業務，市場關注第三代半導體未來發展。

張忠傑指出，碳化矽應用面愈來愈廣，因此公司挺進12吋大尺寸，已在中壢設立試產線。張忠傑說，6吋平台現階段仍為公司量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢，而8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平台，確保良率穩定與成本效益最佳平衡。

　看好碳化矽（SiC）發展潛力，格棋化合物半導體積極擴產，將於 第四季登錄興櫃。格棋將透過技術創新、產能韌性與去中化策略，深 化與北美及日本廠商的合作，提升國際市場能見度。

　　Yole Group最新《Power SiC 2025》報告，全球碳化矽功率元件市 場將於2030年突破103億美元，2024～2030年均複合成長率20.3％。 其中，6吋碳化矽晶圓仍是現階段主要產線平台，8吋則為中長期擴產 與降本方向，兩者將依應用需求長期共存。

　　格棋已具備6吋穩定量產能力，並完成8吋平台前期驗證，年底可望 放量。同時，格棋也已投入大尺寸晶圓（含12吋）研發，並規劃未來 合適時機導入量產。

　　格棋為台灣少數具備長晶、晶棒加工到晶圓出貨垂直整合的業者， 核心技術涵蓋材料物性控管、籽晶精度、熱場設計與模組穩定性。透 過自主開發與測試調整，成功降低結晶缺陷密度，晶圓導電穩定性已 達國際水準。

　　產能部署方面，格棋長晶爐規模已突破百台，並持續擴充。同時， 亦於台灣購地並興建萬坪新廠，規劃成為總部與研發中心，全面提升 產能彈性與營運韌性。

　　格棋產品線涵蓋導電型與半絕緣型晶圓，應用於電動車主驅模組、 光儲逆變器與AI高功率伺服器，並已通過多家國際大廠驗證。

　　面對「去中化」趨勢，格棋展現自製與客戶認證能力，可確保供應 安全。該公司同時導入「虛擬IDM」模式，整合原料來源、長晶、設 計驗證到終端模組應用，打造一站式服務，針對不同區域客戶提供在 地化支援。

　　格棋也啟動北美、日本與歐洲合作計畫，並規劃設立技術據點，為 國際Tier 1車廠與通訊大廠提供即時服務，加速碳化矽在全球的落地 進程。

　　董事長張忠傑指出，碳化矽並非快速爆發型市場，而是具備長期技 術壁壘與應用黏著度的戰略材料。格棋預計四季登錄興櫃，透過資本 市場推動產能規模與研發投入，奠定台灣在全球碳化矽材料供應鏈中 的戰略地位。

台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體（簡稱格棋）宣布，榮獲第23屆「金峰獎—大型企業組」十大傑出企業肯定，創辦人暨董事長張忠傑同時榮膺「十大傑出創業楷模」，展現企業與領導人兼具卓越技術實力與創業精神的高度肯定。此次雙料獲獎，彰顯格棋在SiC長晶技術領域的創新突破與卓越營運成果，亦凸顯其致力推動綠色科技與永續發展的企業承諾。

董事長張忠傑表示：「格棋專注SiC長晶技術研發近十年，這項榮譽是團隊長期投入的共同成果，未來我們將持續強化技術實力，結合綠色永續理念，拓展國際市場，朝全球頂尖企業目標穩步邁進。」

格棋持續深耕晶體生長與晶圓製造領域，憑藉卓越的研發實力與技術創新，產品廣泛應用於電動車、AI伺服器、儲能系統等，成為推動次世代能源轉型的重要推手。因應全球對先進功率元件日益攀升的需求，格棋積極部署8吋SiC晶圓產能，預計2025年底，8吋SiC長晶爐將擴增至百台規模，將進軍日本、歐洲與北美市場，強化全球戰略布局。

格棋開發的四大技術優勢涵蓋：原材料物性控管、穩定的籽晶沾黏技術、先進熱場參數控制，及高穩定性的模組設計與組裝。完整技術鏈可有效降低晶體缺陷率，提升晶圓效率、穩定性與使用壽命，奠定格棋於高效能SiC材料領域的領先地位。此外，格棋亦導入「虛擬IDM」營運模式，串聯從原料、加工、磊晶、設計到元件製造的上下游資源，提供一站式整合解決方案，為客戶打造更具效率與彈性的服務體驗。

格棋亦積極投入社會責任實踐，透過推動技術交流、培育專業人才，促進台灣在高效能源應用與綠色科技領域的整體發展。未來，將持續以技術創新為核心，拓展國際市場版圖，以成為全球化合物半導體產業的指標性企業。（劉靜君）

洽詢股務，認購價為60元。


https://serv.gcis.nat.gov.tw/pap/detail/202504000105/00

公告內容：
格棋化合物半導體股份有限公司增資發行新股公告
主旨：公告本公司114年現金增資發行新股有關事項
依據：本公司114年4月1日董事會決議，及公司法相關規定。
公告事項：
一、 公司名稱：格棋化合物半導體股份有限公司
二、 所營事業：
CC01080 電子零組件製造業
C801010 基本化學工業
C801030 精密化學材料製造業
C801990 其他化學材料製造業
CE01030 光學儀器製造業
F119010 電子材料批發業
F219010 電子材料零售業
F401010 國際貿易業
I501010 產品設計業
ZZ99999 除許可業務外，得經營法令非禁止或限制之業務
三、 本公司所在地：桃園市中壢區西園路99之9號。
四、 董事、監察人之人數及任期：董事五人、監察人二人，任期均為三年，連選得連任。
五、 訂立章程年月日：本公司章程訂立於中華民國一一一年六月二日。最近一次修訂日期為民國一一三年六月二十八日。
六、 原定股份總額及每股金額：原定股份總額為150,000,000股，每股面額新臺幣一○元，已發行股份總額70,000,000股，每股面額新臺幣一○元，實收資本額新臺幣700,000,000元。
七、 本次增資發行新股總額、每股金額及發行條件：
1. 現金增資發行新股20,000,000股，每股發行價格為新臺幣10元。
2. 本次現金增資發行新股除依公司法第二六七條規定提撥十％計2,000,000股，由本公司員工認購外，其餘九十％計18,000,000股，由原股東按認股基準日股東名簿所載持股比例認購之(即每仟股認購257.142857股)，認購不足一股之畸零股或認購股數不足部份，擬授權董事長洽特定人按發行價格認購。
3. 本次發行新股之權利義務與原發行股份相同。
八、 增資計畫用途：增加營運資金。
九、 代收股款銀行：陽信商業銀行林森分行暨全省各分行。
十、 股款繳納日期：一一四年四月十七日起至一一四年四月三十日。
十一、 增資後股份總額及每股金額：增資後發行股數為90,000,000股，每股面額新臺幣一○元，實收資本額為新臺幣900,000,000元。
十二、 發行新股決議之議事錄：詳見本公司一一四年四月一日董事會議事錄。
茲訂於114年4月14日為增資認股基準日，依公司法第165條規定自114年4月10日起至114年4月14日止停止股票過戶登記，凡持有本公司股票而尚未辦理過戶手續者，請於114年4月9日下午5時前駕臨或郵寄（以郵戳日期為憑）本公司股務代理機構中國信託商業銀行代理部（地址：台北市重慶南路一段83號5樓，電話：02-66365566）辦理過戶。
特此公告。

專業碳化矽（SiC）長晶技術廠商格棋化合物半導體，以「低缺陷密度8吋碳化矽晶圓技術」榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎肯定，該項技術不僅能提高能源效率與減少碳排放，更能促進綠色技術的普及，對推動地球永續有積極助益。

格棋副總賴柏帆表示，核心團隊投入高品質碳化矽長晶技術研發將近10年，此次獲獎是對格棋在創新技術和卓越品質方面的高度肯定，證明致力推動綠色科技和永續發展正走在對的道路上。

格棋致力於晶體生長和晶圓的技術開發和製造，以嚴格的原材料物性控管，降低材料雜質並穩定長晶過程；精確的籽晶沾黏技術，控制籽晶的定位，促進晶體均勻生長；先進的熱場參數控制技術，防止晶體熱裂和結晶缺陷的產生；精密的模組設計與組裝，避免晶體污染和模組變形。憑藉4項核心技術優勢，格棋有效降低晶體的線缺陷、面缺陷及體缺陷，提升功率元件的效率、可靠性、穩定性及使用壽命。

為滿足市場多元需求，格棋提供彈性化的產品組合，包括碳化矽晶體（SiC Ingot）、碳化矽晶圓（SiC Wafer）、碳化矽籽晶（SiC Seed）和碳化矽磊晶晶圓（SiC EPI Wafer），並透過虛擬IDM模式，整合上下游價值鏈，依照客戶屬性，整合包含加工、磊晶、設計、製造、元件等廠商，簡化服務窗口與供應鏈服務客戶。